Abstracto

Revelan los mecanismos de deformación plástica de los nanocables de silicio a escala atómica

Deli Kong, Tianjiao Xin, Lirong Xiao, Xuechao Sha, Lu Yan y Lihua Wang

Para utilizar de forma segura y fiable los nanohilos en distintos tipos de nanodispositivos, la evolución estructural de estos nanohilos bajo tensión externa se vuelve muy importante. En este trabajo, utilizando un dispositivo experimental casero in situ a escala atómica, se llevaron a cabo experimentos de flexión de nanohilos de Si con microscopía electrónica de transmisión de alta resolución. Las observaciones dinámicas directas a escala atómica revelaron que la nucleación, el movimiento, el escape y la interacción de las dislocaciones eran responsables de la gran capacidad de deformación plástica de los nanohilos de Si. El movimiento y las interacciones de las dislocaciones completas predominantes indujeron la formación de dislocaciones de bloqueo de Lomer en los nanohilos de Si. Demostramos directamente que la tensión continua sobre las dislocaciones de Lomer indujo el desorden local de los átomos en los nanohilos de Si. Estos resultados ayudan a explicar la capacidad de deformación plástica ultragrande del Si a escala nanométrica.