Jagdish Prasad1,2*, Yadava J1, Nehraa S1, Sharmaa H1, Singh M1
En el presente trabajo, las películas delgadas de Cu2ZnSnS4 ( CZTS) se preparan mediante la técnica de recubrimiento por centrifugación. La pureza de fase de la película preparada se confirma mediante la técnica de difractómetro de rayos X. La película delgada de CZTS muestra una fase única de estructura de kesterita con un pico dominante a 28,7° que corresponde al plano (112) que también se confirmó mediante el pico Raman a 331 cm -1 . Los valores del coeficiente de absorción y de la brecha de banda directa de 104 cm -1 y 1,50 eV, respectivamente, se determinan mediante la técnica del espectrofotómetro UV-Visible. Los resultados ópticos muestran que la película delgada preparada es ideal para aplicaciones de células solares. Las imágenes SEM muestran que se prepara una película uniforme y homogénea que tiene un tamaño de partícula promedio de 36,0 nm. Además, la morfología de la superficie y la rugosidad determinadas mediante la técnica AFM confirman que se prepara una película delgada lisa de CZTS. Las mediciones de Hall mostraron una conductividad de tipo p con una concentración de portadores de ~1,55×10 16 cm -3 , una conductividad de ~65,08×10 -2 Ω -1 cm -1 y una movilidad de Hall de ~26,15 cm 2 /Vs a temperatura ambiente. Por lo tanto, el presente trabajo de investigación proporciona una película delgada de CZTS de buena calidad preparada mediante la técnica de recubrimiento por centrifugación asistida por sol-gel, que es rentable y también aplicable para la producción a gran escala.