Abstracto

Efectos del cristal mixto ternario y el espesor de la capa en las características de salida IV de los MOSHEMT de Al2O3 / AlGaN /GaN

Zhou XJ, Xing Y, Gu Z y Meng GQQG*

Los voltajes de umbral y las corrientes de salida en los MOSHEMT de _{Al2O3 / AlGaN} /GaN se calculan mediante el modelo de control de carga bajo la aproximación de agotamiento total, teniendo en cuenta las cargas fijas en la interfaz _{Al2O3 / AlGaN} y la polarización en cada capa. Los resultados demuestran que los voltajes de umbral se desvían negativamente a medida que aumenta el componente Al en AlGaN y el espesor de cada capa. También se ha descubierto que aumentar el componente Al y el espesor de _la capa de Al2O3 _da como resultado un aumento significativo en la corriente, mientras que aumentar el espesor de la barrera de AlGaN tiene solo un impacto menor. Estos resultados implican que el rendimiento de los dispositivos MOSHEMT se puede mejorar mediante el cristal mixto ternario y los efectos del tamaño.