Abstracto

Caracterización electromagnética del dispositivo del transistor MESFET de GaAs

Amri Houda y Zaabat Mourad

En este artículo se presenta un estudio electromagnético de un transistor MESFET basado en un método iterativo. Este método genera la relación entre las ondas incidentes y reflejadas de los circuitos planos. El método WCIP se desarrolló a partir del algoritmo de transformada modal rápida.

Descargo de responsabilidad: este resumen se tradujo utilizando herramientas de inteligencia artificial y aún no ha sido revisado ni verificado.

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