Abstracto

Adsorción y desorción de oxígeno en superficies Óxido Semiconductor Binario

A Haddad, A Hafidi, N Chahmat, A Ain-Souya, R Ganfoudi y M Ghers

Se ha estudiado la regeneración de capas de semiconductores binarios tras adsorciones isotérmicas de oxígeno a varias temperaturas realizadas entre 20 °C y 350 °C. Las muestras utilizadas son capas de CdSe obtenidas por evaporación al vacío sobre sustratos de vidrio, capas de óxido de ZnO y SnO2. Estas últimas se obtuvieron por oxidación de capas de Zn y Sn a temperaturas respectivas de 450 °C y 200 °C bajo gas O2. Las capas de metales consideradas se prepararon mediante las técnicas de evaporación al vacío sobre sustratos de vidrio, alúmina y metal, y electrodeposición sobre sustratos metálicos de diversa naturaleza (cobre, aluminio, acero...). Los resultados experimentales muestran que durante la adsorción de oxígeno, la resistencia eléctrica medida entre dos puntos de la superficie de las muestras varía en función de la temperatura y la naturaleza de las muestras. Las capas de CdSe y ZnO adsorben fuertemente el oxígeno a altas temperaturas en torno a los 200 °C, mientras que la tasa de adsorción máxima de O2 por SnO2 se obtiene a temperaturas más bajas. La desorción isotérmica realizada a las mismas temperaturas de adsorción muestra que las capas pueden regenerarse, pero durante períodos de tiempo relativamente largos. Las capas recalentadas con O2, a las temperaturas elegidas, son menos sensibles a este elemento. La regeneración total demuestra el carácter reversible de la interacción del oxígeno con la superficie e informa sobre la estabilidad del material.