K Ayouz-Chebout*, R Tala-Ighil, K Mhammedi, S Sam y N Gabouze
En el presente artículo, se ha utilizado un dispositivo de detección de gas basado en películas delgadas de óxido de vanadio (V2O5)/Si poroso (PS)/estructura de Si para detectar gas CO2 en diferentes concentraciones. Se hicieron crecer películas delgadas de pentóxido de vanadio (V2O5) amorfo y cristalino sobre sustratos de silicio monocristalino y silicio poroso utilizando el método de recubrimiento por inmersión. El óxido de vanadio se ha producido a partir del precursor de alcóxido de vanadio. Se han realizado y estudiado diferentes estructuras basadas en V2O5/Si poroso/Si. Las características de corriente-voltaje (IV) muestran que las propiedades del sensor se modificaron debido a la presencia de gas CO2. La sensibilidad de la estructura aumenta el potencial y la concentración de CO2 aumenta. Además, la estructura exhibe una respuesta rápida y un tiempo de recuperación de 32 s. Los resultados obtenidos son prometedores ya que la respuesta medida y el tiempo de recuperación se redujeron en comparación con la estructura CH/PS/Si.