Abstracto

Conductividad térmica de películas delgadas de silicio depositadas sobre alúmina porosa mediante PECVD

Ktifa S y Ezzaouia H

En este trabajo hemos estudiado las propiedades térmicas de películas delgadas de silicio depositadas mediante deposición química en fase vapor mediante plasma (PECVD) sobre aluminio poroso utilizando la técnica de deflexión fototérmica (PTD). El objetivo de este trabajo es investigar la influencia de la corriente de anodización (entre 200 y 400 mV) en la conductividad térmica de las muestras. Presentamos un modelo computacional para determinar la conductividad térmica K. Las coincidencias entre las curvas experimentales y teóricas permiten deducir los valores de conductividad térmica con una buena precisión. De hecho, se encontró que K disminuye con la corriente de anodización.